1.電流互感器的內(nèi)部主要參數(shù)是危害電流互感器過失的主要要素。

⑴二次電磁線圈內(nèi)電阻R2和漏抗X2對過失的危害:當(dāng)R2增大時比差和角差都增大;X2增大時比差增大，但角差減小。因而要改進(jìn)過失應(yīng)盡可能減小R2和適當(dāng)?shù)腦2值。由于二次電磁線圈內(nèi)電阻R2和漏抗X2與二次負(fù)荷Rfh和Xfh相對而言值不大，因此 修改R2和X2對過失的危害并不大，僅有對小容積的電流互感器危害才較顯著。

⑵鐵芯截遭遇過失的危害：鐵芯橫截面增大使鐵芯的磁通密度降低，自感電動勢減小，進(jìn)而改進(jìn)比差和角差。沒有賠償?shù)碾娏骰ジ衅髟陬~定值標(biāo)準(zhǔn)下鐵芯的磁通密度已經(jīng)不大，因此 降低磁通密度也相對性減小了導(dǎo)磁指數(shù)，使自感電動勢減小很少，并且磁通密度越小實(shí)際效果越差。

⑶匝數(shù)對過失的危害:提升匝數(shù)便是提升安匝，提升線圈匝數(shù)能夠使磁通密度減小，其改進(jìn)過失的實(shí)際效果比提升鐵芯橫截面顯著得多。可是匝數(shù)的提升會造成銅使用量的提升，同造成動平穩(wěn)倍率的降低和豐腴倍率的提升。除此之外，有關(guān)單匝式的電流互感器(如穿桃心或防水套管型電流互感器次電磁線圈只容許匝)不能用提升線圈匝數(shù)的方法改進(jìn)過失。

⑷降低鐵芯耗損和發(fā)展導(dǎo)磁率。在鐵芯磁通密度不會改變的標(biāo)準(zhǔn)下，降低鐵芯勵磁調(diào)節(jié)器安匝和耗損安匝也將改進(jìn)比差和角差，因而采用高品質(zhì)的帶磁材料和選用適合的淬火工藝都能抵達(dá)發(fā)展導(dǎo)磁率和降低耗損的用意。鐵芯帶磁的劣還危害豐腴倍率，鐵芯帶磁差時豐腴倍率較小。

2.工作上的電流互感器的過失

當(dāng)電流互感器已經(jīng)定形，其內(nèi)部主要參數(shù)就明確了，那麼它的過失大小將受二次電流量(或次電流量)、二次負(fù)荷、功率因素及其頻率的危害。這種要素稱之為外界要素，工作中的電流互感器的過失主要受這四個要素危害。

⑴電流量頻率的修改對過失的危害非常復(fù)雜，般系統(tǒng)軟件頻率修改甚小，其危害可忽略。假若頻率修改過大，比如額定值頻率為50Hz的電流互感器用以60Hz的系統(tǒng)軟件中，就理應(yīng)考慮到頻率的危害，由于頻率修改不僅危害鐵芯耗損、磁通密度和電磁線圈漏抗的大小，也同危害了二次側(cè)負(fù)荷電感值的大小。

⑵當(dāng)次電流量減小時，磁通密度按占比相對降低，但在低磁通密度時，勵磁調(diào)節(jié)器安匝的降低比磁通密度降低要慢，因而比差和角差的值就相對性增大。

⑶電流互感器過失具備下列特點(diǎn)：當(dāng)次電流量在規(guī)定的整體規(guī)劃內(nèi)修改時，二次電流量按占比修改，當(dāng)二次負(fù)荷特性阻抗在規(guī)定整體規(guī)劃內(nèi)修改時，不危害二次電流量的大小。因此 當(dāng)二次負(fù)荷在額定值整體規(guī)劃內(nèi)降低時，磁通密度也降低，由于二次電流量不會改變，自感電動勢減小，過失也將減小。電流互感器的原廠使用說明般會標(biāo)出額定值二次負(fù)荷特性阻抗值，工作中其過失應(yīng)按給出布線方法下的二次負(fù)荷特性阻抗值來校對。

⑷二次負(fù)荷的功率因素增大，也就是Rfh增大，Xfh減小，角差將增大而比差將降低。有關(guān)豐腴倍率來講，電壓互感器生產(chǎn)廠家使用說明標(biāo)明的豐腴倍率就是指功率因素為0.8時的豐腴倍率，此值等同于的豐腴倍率的“小值”，因而功率因素不管增大或減小，豐腴倍率都增大。

3.減小過失的方法

自感電動勢是組成電流互感器過失的主要緣故，因而減小自感電動勢就可以減小過失:

⑴采用高導(dǎo)磁率的材料做鐵芯，由于鐵芯帶磁能不僅危害比差和角差，也危害豐腴倍率。

⑵增大鐵芯橫截面，減少等效電路長短;提升匝數(shù)。調(diào)整鐵芯橫截面或電磁線圈安匝會相對增大和減小豐腴倍率，在選用提升鐵芯橫截面或電磁線圈安匝以改進(jìn)比差和角差時，必須充分考慮對豐腴倍率的危害。

⑶拘束二次負(fù)荷的危害。在現(xiàn)場般用提升連接輸電線的合理橫截面的方法，如采用很大橫截面的電纜線，或多芯式串聯(lián)應(yīng)用，以降低二次負(fù)荷的特性阻抗值。還能夠把2個同樣、變比同樣的電流互感器串連應(yīng)用，使每個電流互感器的負(fù)荷變成所有負(fù)荷的半。

⑷適當(dāng)增大電流互感器變比。在現(xiàn)場工作上采用很大變比的電壓互感器。

此外，也有二次繞阻的成績賠償、二次側(cè)電容器分開賠償這些。